[Rumor] Samsung Galaxy S8 terá mais memória RAM que um notebook básico e armazenamento ultrarrápido

Aparentemente, smartphones com “apenas 6 GB” de memória RAM serão coisa do passado em 2017. Rumores já apontavam para que o Galaxy S8 com 8 GB, mas agora parece praticamente certo. Isso enquanto alguns modelos ainda insistem em trazer somente 8 GB de memória interna, caso do ZTE Blade A510. Mais do que isso, parece que os chips de memória RAM serão fabricados com litografia de 10 nanômetros pela Hynix. Ou seja, vão oferecer mais desempenho para o smartphone ao mesmo tempo em que consomem menos energia. Isso é especialmente interessante quando pensamos em apps de realidade virtual, onde todo GHz e GB extra é bem-vindo.

UFS 2.1

As novidades não param por aqui. O Galaxy S8 promete realmente surpreender no quesito desempenho, inclusive na memória interna. Segundo o WCCFtech, ele usará o sistema de arquivos UFS 2.1, o que significaria um enorme ganho de performance nas taxas de leitura/escrita da memória interna. Isso tanto de forma aleatória (otimizando a abertura de apps) quanto contínua (favorecendo a escrita de vídeos em 4K). Isso tudo com o poderoso Snapdragon 830, que por si só já é um avanço e tanto em relação ao Snapdragon 820 e ao Exynos 8890.

Por fim, temos novidades sobre o tamanho das telas. O rumor aponta para duas versões, mas não com 5,1 e 5,7 polegadas, mas sim 5,7 e 6,2 polegadas, respectivamente, com tecnologia Super AMOLED. Isso não quer dizer, porém, que eles serão modelos muito grandes, como o Galaxy A9 Pro. Ao que tudo indica, a Samsung aumentará consideravelmente o aproveitamento de tela, compensando as polegadas extras. Será que chegará perto os 91,3% de aproveitamento do Xiaomi Mi Mix? Teremos que esperar para ver. Isso, claro, com o sensor de impressões digitais embutido na própria tela, segundo rumores anteriores.

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